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APTM120H29FG
  • 制造廠商：Microsemi（中文名：美高森美）
  • 類別封裝：場效應管模塊，SP6
  • 技術參數：MOSFET 4N-CH 1200V 34A SP6
  • （專注銷售Microsemi電子元器件，承諾原裝！現貨當天發貨！）
  • （您可通過電話、微信、QQ或郵件與銷售代表聯系詢價及采購）
    • 參數詳情：
  • 制造商產品型號：APTM120H29FG
  • 制造商：Microsemi Corporation（美高森美）
  • 描述：MOSFET 4N-CH 1200V 34A SP6
  • 系列：POWER MOS 7
  • FET 類型：4 個 N 通道（H 橋）
  • FET 功能：標準
  • 漏源極電壓 (Vdss)：1200V（1.2kV）
  • 電流 - 連續漏極 (Id)（25°C 時）：34A
  • 不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：348 毫歐 @ 17A，10V
  • 不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：5V @ 5mA
  • 不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：374nC @ 10V
  • 不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：10300pF @ 25V
  • 功率 - 最大值：780W
  • 安裝類型：底座安裝
  • 封裝/外殼：SP6
  • 供應商器件封裝：SP6
  • APTM120H29FG的訂貨細節及現貨數量，歡迎跟我們的銷售代表確認。
    • 節約時間成本，提高采購效率，Microsemi官網（美高森美）授權代理
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